模块化半自动功率器件测试机

产品特点

模块化静态测试系统,是泽科电子面向功率半导体器件半自动化测试产线用,高精度、宽测量范围功率半导体器件、模块产线专用系统设备,可实现IGBT、SiC MOSFET及其他功率半导体器件的静态半自动化产线测试。通过功能结构的定制化配置,可以满足行业客户各类产线测试技术要求

产品规格

静态测试项目 Iges/Igss-/Igss+、Ices/Idss、BVces/BVdss、VGEth /VGSth、Vcesat/Rdson/ Vf、Kelvin contact check、NTC测试等
静态测试电压电流范围 3500V/1000A(最高支持扩展至10kV,6000A)
测试温度范围 常温~175℃,精度±2℃
加热平台 自动加热并温度控制
冷却平台 风冷,可选配水冷
安全防护 过流过压保护,防触电漏电保护,高压互锁,快速放电,三色警示灯等
测试对象 支持半桥,三相半桥,三电平模块,全桥模块,以及DBC衬板芯片测试
*上述规格参数,仅供方案展示使用。具体规格参数,可根据实际需求调整

 

 


 

极联全自动功率器件测试线

产品特点
用于产线上全方面检测IGBT、SiC MOS等功率半导体器件的DC全套参数特性,实现全自动化产线测试。

1、可根据工艺定制化设备生产流程,可整合多款测试设备共线生产测试
2、测试范围对象广,针对不同封装定制测试治具
3、全自动化测试过程,自动生成测试数据报表
4、极低的回路杂感、极快的过流保护速度
可自定义多项指标测试先后顺序及串线自动测试
5、全部指标测试完,可根据自定义标准进行分档收纳
6、具有加热和冷却机,提升常温、高温测试切换效率

产品规格

静态测试项目 Iges/Igss-/Igss+、Ices/Idss、BVces/BVdss、VGEth /VGSth、Vcesat/Rdson/ Vf、Kelvin contact check、NTC、Rg、Cg测试等 
静态测试电压电流范围 2200V/2000A(最高支持扩展至10kV,6000A)
测试温度范围 常温~175℃,精度±2℃
加热平台 自动加热并温度控制
冷却平台 风冷,可选配水冷
安全防护 过流过压保护,防触电漏电保护,高压互锁,快速放电,三色警示灯等
测试对象 支持半桥,三相半桥,三电平模块,全桥模块,以及DBC衬板芯片测试
*上述规格参数,仅供方案展示使用。具体规格参数,可根据实际需求调整

 


 

 

 

桌面级实验型静态测试系统

产品特点:

桌面级静态测试系统,主要由测试仪表、上位机软件、电脑、矩阵开关、夹具、高压及大电流信号线等构成。整套系统采用普赛斯自主开发的静态测试主机,内置多种电压、电流等级的测量单元。PMST静态参数测试主机内部采用的电压、电流测量单元,均采用多量程设计,测试精度为0.1%。其中,栅极-发射极,最大支持30V@10A脉冲电流输出与测试,可测试低至pA级漏电流;集电极-发射极,最大支持6000A高速脉冲电流,典型上升时间为15μs,且具备电压高速同步采样功能;最高支持 3500V电压输出,且自带漏电流测量功能。电容特性测试,包括输入电容,输出电容,以及反向传输电容测试,频率最高支持1MHz,可按需选择模块配置。可提供完整的功率半导体芯片、器件、以及模块参数的测试方法,可以轻松实现静态参数 I/V和C/V 的测试,最终输出产品Datasheet报告。这些方法适用于硅基MOSFET、IGBT,以及宽禁带半导体 SiC 和 GaN 功率器件。

可支持测试项目:

硅基,碳化硅MOSFET 栅极-源极击穿电压V(BR)DSS
栅极阈值电压VGS(th)
源极漏电流IDSS
栅极漏电流IGSS
源极-漏极导通电阻RDS(on)
体二极管导通电压VSD
体二极管导通电流ISD
栅极内阻Rg,输入电容Ciss,输出电容Coss,反向传输电容Crss
跨导gfs
输出特性曲线,转移特性曲线
C-V特性曲线
IGBT 集电极-发射极电压 VCES
集电极-发射极击穿电压 V(BR)CES
集电极-发射极饱和电压VCEsat
集电极电流IC
集电极截止电流ICES
栅极-发射极电压VGES
栅极-发射极阈值电压VGE(th)
栅极漏电流IGES
栅极内阻Rg,输入电容Ciss,输出电容Coss,反向传输电容Crss
跨导gfs
输出特性曲线,转移特性曲线
C-V特性曲线
GaN HEMT 栅极-源极击穿电压V(BR)DSS
栅极阈值电压VGS(th)
源极漏电流IDSS
栅极漏电流IGSS
源极-漏极导通电阻RDS(on)
体二极管导通电压VSD
体二极管导通电流ISD
栅极内阻Rg,输入电容Ciss,输出电容Coss,反向传输电容Crss
跨导gfs
输出特性曲线,转移特性曲线
C-V特性曲线

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